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底部发射结构是必要的，道交德电因为与每个纳米棒的顶部接触是通过在纳米棒顶部放置厚金属垫来实现的。对于不适合使用外部偏振器或需要在单个芯片级偏振光的应用来说，通创这是特别有益的。

新力晓西(b)和(d)说明了yz平面上的分布。这项研究的结果将有助于开发芯片级偏振选择LED，企业强揭气华这对于需要偏振光的应用非常有用。施耐上榜图6.偏振光偏振强度的等高线图(a,b)用于模拟的样品结构示意图。

年轨Da和Db表示纳米椭圆的长轴和短轴。道交德电(c)纳米棒的标准PL光谱。

然而，通创这需要专门设计的包装来确保光只从侧面出来。

新力晓西(f)湿法蚀刻后纳米棒的顶视图和(h)倾斜视图SEM图像。在许多SMA中，企业强揭气华Ti-NiSMA因其优异的机械性能和可加工性而得到最广泛的应用。

施耐上榜图4：冷却和加热过程中在不同测试温度下Ti-44Ni-5Cu-1Al（at％）CR673样品的原位X射线衍射图。年轨图5：Ti-44Ni-5Cu-1Al（at％）HR样品的明场图和选区域衍射图。

道交德电【引言】形状记忆合金（SMA）的超弹性已在包括生物装置在内的领域获得实际应用。文献链接：通创StableandlargesuperelasticityandelastocaloriceffectinnanocrystallineTi-44Ni-5Cu-1Al(at%)alloy（ActaMater.,2018,DOI:10.1016/j.actamat.2018.08.003）本文由材料人编辑部金属材料学术组Sweet供稿，通创材料牛编辑整理。